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AH109 感受态细胞

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AH109 酵母感受态细胞
AH109 Chemically Competent Cell
产品规格:10×100μl
保存条件: -80℃
AH109
10×100μl
保存条件: -80
Carrier DNA
5ug/μl100 μl
保存条件 -20
PEG/liAC
5 ml
保存条件: 4
MATa, trp1-901, leu2-3, 112, ura3-52, his3-200, gal4Δ, gal80Δ,LYS2 : : GAL1UAS-GAL1TATA-HIS3,
MEL1 GAL2UAS-GAL2TATA-ADE2, URA3::MEL1UAS-MEL1TATA-lacZ
简 要 说 明
AH109 菌株来源于 PJ69-2A 酵母菌株,将 lacZ 报告基因引入 PJ69-2A 诞生了 AH109,此菌株是 Clontech 公司开发
GAL4 系统酵母双杂实验用菌株,MATa 型,可直接转化质粒或与 MATα型酵母菌株 Y187 通过 mating 操作进行蛋
白互作验证或筛库试验。Transformation marker : trp1, leu2,报告基因为:lacZ, HIS3, ADE2, MEL1AH109 -GAL4
酵母双杂系统需要两种质粒配套使用:PGBKT7 PGADT7。质粒 PGBKT7 的筛选标志为 TRP1,用于表达 DNA-BD(
自酵母转录因子 GAL4N 1~ 174位氨基酸)与目标蛋白(Bait)的融合蛋白;质粒 PGADT7 的筛选标志为 LEU,用于表
AD(GAL4 C 768 ~881 位氨基酸)与目标蛋白(
Prey)的融合蛋白。GAL4 系统原理:一个完整的酵母转录因子 GAL4
可分为功能上相互独立的两个结构域:位于N 1 ~ 174 位氨基酸区段的DNA 结合域(DNA-BD)和位于C 768 ~881
氨基酸区段的转录激活域(AD)DNA-BD 能够识别 GAL4-responsive gene 的上游激活序列 UAS,并与之结合。而 AD
可以启动 UAS 下游的基因进行转录。BD AD 单独存在不能激活转录,但当二者接近时,则呈现完整的 GAL4 活性,
使含有 UAS 的启动子下游基因转录表达。正常条件下,BD 不与 AD 结合,将要检测的蛋白质分别与 BD AD 融合,
形成 bait 融合蛋白(
bait -BD)和 prey 融合蛋白(
prey-AD),如果 bait prey 发生相互作用,就会促使 BD AD
相互接近,形成完整的 GAL4,从而激活报告基因的转录。AH109 有四个报告基因:lacZ, HIS3, ADE2, MEL1,分别由
三种不同的启动子(GAL1GAL2MEL1)启动,这三种启动子只有 GAL4 识别的 17bp核心区相同,其余部分均不
同,大大降低了酵母双杂假阳性发生的概率。AngYuBio High5TM 系列 AH109 感受态细胞经特殊工艺制作,-80℃可保
存三个月,经 PGADT7 质粒检测转化效率>104cfu/μg DNA
操 作 说 明
1. 取一支无菌的 1.5ml EP 管,依次加入预冷的目的质粒 1-3µgCarrier DNA 10µl100µl 冰上融化的 AH109 感受态细胞,PEG/LiAc 500µl,轻轻翻转混匀 6-8 次;
2. 30℃水浴 30min,每 10min 轻轻翻转混匀 6-8 次;
3. 每支加入 20µl 的二甲基亚砜;(用于提高转化效率)
4. 42℃水浴 15min,每 5min 轻轻翻转混匀 6-8 次;
5. 12000rpm 瞬时离心弃上清,每支加入 1ml YPD Plus 30℃复苏 1h;(用于提高转化效率)
6. 12000rpm 瞬时离心弃上清,用 100µl 0.9% NaCl 重悬,涂板,30℃培养 48-96h
注 意 事 项
1. 感受态细胞最好在冰上融化,PEG 溶液在低温环境下会析出,请于常温下完全溶解后使用。
2. 转化高浓度的质粒可相应减少最终用于涂板的菌量。
3. 同时转化 2-3 种质粒时可增加质粒的用量。
4. AHA109 酵母菌株对高温敏感,最适生长温度为 27-30℃;高于 31℃,生长速度和转化效率呈指数下降。
5. 菌落变粉不是污染,是酵母细胞生长中一个常见现象。当细胞在平板培养几天后,平板上的 Adenine 被酵母消耗完
毕,酵母试图通过自身代谢途径合成 Adenine 以供利用,然而,有些菌株的 ADE2 基因被破坏,Adenine 合成途径
受阻;又由于其 ADE4,5,6,7,8 基因均正常,所以造成中间产物 P-ribosylamino imidazoleAIR)在细胞中积累而使
菌落变为粉红色。
6. 酵母在缺陷培养基中生长速度比 YPDA 培养基慢,培养基中缺陷成分越多,生长越慢,以转化涂板为例:涂 YPDA
平板 29℃,48h 培养可见直径 1mm 克隆;涂 SD 单缺平板 29℃,48-60h 培养可见直径 1mm 克隆,涂 SD 双缺平
29℃,60-80h 培养可见直径 1mm 克隆,涂 SD 三缺或四缺平板平板 29℃,80-90h 培养可见直径 1mm 克隆。
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